RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
63
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link