RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2460
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link