RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2935
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link