RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.1
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
22.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
20.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
4421
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link