RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3188
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link