RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3025
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link