RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14200
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
14200
17000
Other
Beschreibung
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2558
2938
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link