RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
65
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,960.1
2,451.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
43
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,465.2
4,605.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,960.1
2,451.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1087
878
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB RAM-Vergleiche
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link