RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
37
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
2758
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link