RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
1825
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link