RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2474
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99P5471-021.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link