RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
53
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2366
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link