RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
28
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2931
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link