RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link