RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3110
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link