RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
75
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,036.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
1836
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link