RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2317
2687
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link