RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
75
Rund um -257% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
14.1
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3380
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link