RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
58
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2935
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link