RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2031
3283
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link