RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3714
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link