RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3322
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link