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Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB vs Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Gesamtnote
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,569.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
6400
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
66
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,316.1
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,569.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
12800
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
472
2602
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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