RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
60
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2554
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link