RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3692
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link