RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
42
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3731
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link