RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
71
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
6.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
1737
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link