RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link