RAM-Vergleich Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Gesamtnote

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 62

Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.6 7.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.7 13.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2312 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns