RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2159
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link