RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2514
2965
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link