RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
39
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3171
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link