RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
3756
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link