RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3683
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link