RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 27

Rund um 7% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.2 16.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.3 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 3628

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns