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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3418
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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