RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3285
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link