RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3299
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link