RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2311
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link