RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 15.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,451.8 11.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 65

Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

878 2528

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns