RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
60
Rund um -131% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2323
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link