RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3273
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link