RAM-Vergleich Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

56 71

Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 15.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.9 1,501.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 4200

Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

381 1757

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns