RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
33
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3690
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link