RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3010
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link