RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3064
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link