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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
1704
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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