RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
81
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1634
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link