RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2574
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link