RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
57
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2792
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link